林兰英 女，

　　(1918.2.7~2003.3.4)，

　　半导体材料科学家。福建莆田市人， 毕业于莆田市第一中学,

　　1940年，毕业于福建协和大学。

　　1948年，赴美国迪金森学院数学系留学。

　　1949年，获迪金森学院数学学士学位。进入宾夕法尼亚大学研究生院学习。

　　1950年，获宾夕法尼亚大学物理学硕士学位。

　　1955年，获美国宾州大学博士学位，任纽约索菲亚公司高级工程师。

　　1957年，回到祖国，受到周恩来总理亲切接见，回国后历任中国科学院半导体研究所研究员，副所长，中国科协副主席，全国人大代表、常委。一直从事半导体材料科学研究工作，是我国半导体科学事业开拓者之一。先后负责研制成我国第一根硅、锑化铟、砷化镓、磷化镓等单晶，为我国微电子和光电子学的发展奠定了基础；负责研制的高纯度汽相和液相外延材料达到国际先水平。近年来，与兰州物理研究所达道安所长一道开创了我国微重力半导体材料科学研究新领域，并在砷化镓晶体太空生长和性质研究方面取得了世人瞩目的成绩。

　　1958年，研制出中国第一根硅单晶。

　　1961年，研制出中国第一台开门式硅单晶炉。

　　1962年，研制出中国第一根砷化镓单晶，达到国际最高水平。

　　1964年，研制出中国第一只砷化镓二极管激光器。

　　1974年，第一次提出用汽相外延和液相外延法制取砷化镓单晶，至今还处于国际领先水平。

　　1980年，当选为中国科学院院士（学部委员）。

　　她从事半导体材料科学40余年，是中国半导体材料科学的奠基人和开拓者。她率先组织和领导了我国生长硅单晶、锑化铟、砷化镓和磷化镓单晶的研究，并首先获得了上述半导体单晶。为在我国率先研究半导体集成电路和光电子器件的单位提供了多种半导体单晶材料，并向全国推广上述单晶生长技术和相应的材料测试技术，为我国微电子学和光电子学的开创奠定了基础。参与组织领导4千位16千位大规模集成电路-MOS随机存储器的研制，

　　1980、1982年，当选为中国科学院院士，两次获得中科院科技进步一等奖。她指导的高纯砷化镓液相外延和气相外延材料研究达到国际先进水平，其中高纯砷化镓气相外延研究至今仍然保持着采用卤化系统的国际最高水平。

　　1981年，获中科院科技进步一等奖，

　　1985年，获国家科技进步二等奖。

　　1987年，首次在世界上在微重力条件下从熔体中生长砷化镓单晶获得成功。以后又相继四次在我国返回式卫星上生长生长砷化镓单晶，在空间晶体生长、材料物理研究及器件应用等方面取得了许多令世界同行瞩目的科研成果。利用空间生长的半绝缘砷化镓制造的微波低噪声场效应晶体管和模拟开关集成电路的特性及优质品率显著提高。

　　1987年，研制出中国第一台双束离子机。

　　1989年，获中科院科技进步一等奖，

　　1990年，获国家科技进步三等奖，

　　1996年，获何梁何利科技进步奖，

　　1998年，获霍英东成就奖。

责编：林芳斌